规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
75 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
3A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
2.7 Ohm @ 1.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
4.5V @ 50µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
12nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
308pF @ 25V |
功率 - 最大 |
61W |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 |
I-Pak |
包装材料
|
Tube |
包装 |
3IPAK |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
500 V |
最大连续漏极电流 |
3 A |
RDS -于 |
2700@10V mOhm |
最大门源电压 |
±30 V |
典型导通延迟时间 |
9 ns |
典型关闭延迟时间 |
16 ns |
典型下降时间 |
10 ns |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Rail / Tube |
最大门源电压 |
±30 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
最低工作温度 |
-55 |
渠道类型 |
N |
封装 |
Rail |
最大漏源电阻 |
2700@10V |
最大漏源电压 |
500 |
每个芯片的元件数 |
1 |
供应商封装形式 |
IPAK |
最大功率耗散 |
61000 |
最大连续漏极电流 |
3 |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Through Hole |
FET特点 |
Standard |
安装类型 |
Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
3A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
4.5V @ 50µA |
封装/外壳 |
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商设备封装 |
I-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
2.7 Ohm @ 1.5A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
61W |
漏极至源极电压(Vdss) |
500V |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
308pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
12nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
类别 |
Power MOSFET |
配置 |
Dual Drain, Single |
外形尺寸 |
6.73 x 2.38 x 7.62mm |
身高 |
7.62mm |
长度 |
6.73mm |
最大漏源电阻 |
2.7 Ω |
最高工作温度 |
+150 °C |
最大功率耗散 |
75 W |
最低工作温度 |
-55 °C |
包装类型 |
IPAK |
典型栅极电荷@ VGS |
12 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS |
308 pF V @ 25 |
宽度 |
2.38mm |
晶体管极性 |
N-Channel |
源极击穿电压 |
+/- 30 V |
连续漏极电流 |
3 A |
RDS(ON) |
2.7 Ohms |
安装风格 |
Through Hole |
功率耗散 |
61 W |
漏源击穿电压 |
500 V |
安装类型 |
通孔 |
类别 |
功率 MOSFET |
长度 |
6.73mm |
典型输入电容值@Vds |
308 pF@ 25 V |
通道模式 |
增强 |
高度 |
7.62mm |
每片芯片元件数目 |
1 |
最大漏源电阻值 |
2.7 Ω |
最大栅阈值电压 |
4.5V |
Board Level Components |
Y |
最高工作温度 |
+150 °C |
通道类型 |
N |
最低工作温度 |
-55 °C |
最大功率耗散 |
75 W |
最大栅源电压 |
±30 V |
宽度 |
2.38mm |
尺寸 |
6.73 x 2.38 x 7.62mm |
最大漏源电压 |
500 V |
典型接通延迟时间 |
9 ns |
典型关断延迟时间 |
16 ns |
封装类型 |
IPAK |
最大连续漏极电流 |
3.4 A |
引脚数目 |
3 |
典型栅极电荷@Vgs |
12 nC @ 10 V |
工厂包装数量 |
75 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
500 V |
Id - Continuous Drain Current |
3 A |
Rds On - Drain-Source Resistance |
2.7 Ohms |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
Pd - Power Dissipation |
61 W |
通道数 |
1 Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage |
30 V |
技术 |
Si |
品牌 |
ON Semiconductor |